Intelligente volumeregeling Ultrasone verstuivingsspuitapparatuur

Als kernmateriaal in hoogwaardige productiegebieden zoals halfgeleiders en beeldschermpanelen, bepaalt de coatingkwaliteit van fotoresist rechtstreeks belangrijke prestatie-indicatoren zoals chipresolutie en paneelpixeldichtheid. Traditionele fotoresist-coatingmethoden maken voornamelijk gebruik van spincoating, die, hoewel eenvoudig te bedienen, aanzienlijke beperkingen kent: ten eerste is het materiaalgebruik laag (slechts 30% -40%), waarbij een grote hoeveelheid fotoresist wordt verspild als gevolg van de middelpuntvliedende kracht, waardoor de productiekosten stijgen; ten tweede wordt de uniformiteit van de coating beperkt door de substraatgrootte, waarbij grote wafels of flexibele substraten gevoelig zijn voor het "randeffect" van dikkere randen en dunnere centra; ten derde is de nauwkeurigheid van de controle van de laagdikte onvoldoende, waardoor het moeilijk wordt om te voldoen aan de strenge eisen van geavanceerde processen (zoals chips onder 7 nm) voor coatings op nanoschaal; en ten vierde worden gemakkelijk defecten zoals bellen en gaatjes gegenereerd, waardoor de integriteit van het fotolithografiepatroon wordt aangetast.

Met de evolutie van halfgeleiderchips naar een hogere dichtheid en kleinere afmetingen, en weergavepanelen naar grotere afmetingen en grotere flexibiliteit, heeft fotoresistcoating dringend behoefte aan nieuwe technologieën die hoge precisie, hoge benutting en lage defectpercentages combineren. Ultrasone verstuivingsspuitapparatuur, met zijn unieke vernevelingsprincipe, is een kernoplossing geworden om deze pijnpunten aan te pakken.

Belangrijkste toepassingsscenario's in de fotoresistindustrie:

◆ Fotoresistcoating op halfgeleiderchips: Bij de productie van logicachips en geheugenchips (zoals DRAM en NAND) kan ultrasoon verstuivingssproeien worden gebruikt voor de anti{0}}reflecterende coating aan de onderkant (BARC), de belangrijkste fotoresistcoating en de anti-reflecterende coating aan de bovenkant (TARC) op het waferoppervlak. Voor lithografieprocessen met extreem ultraviolet (EUV) kan de apparatuur ultra-dunne (minder dan of gelijk aan 100 nm), lage-ruwheid (Ra kleiner dan of gelijk aan 0,5 nm) fotoresistcoatings bereiken, waardoor de resolutie en randruwheid (LER) van het lithografiepatroon worden verbeterd.

◆ Fotoresistcoating voor beeldschermpanelen: bij de productieprocessen van pixeldefinitielagen (PDL's), kleurfilters (CF's) en aanraakelektroden in LCD- en OLED-beeldschermpanelen kan de apparatuur worden aangepast om grote -substraten (zoals G8.5 en G10.5) uniform te coaten, waardoor het probleem van kromtrekken tijdens het coaten van flexibele OLED-substraten (zoals PI-films) wordt opgelost, terwijl de hechting tussen de fotoresist en het substraat wordt verbeterd en de patroonafwijking bij daaropvolgende ontwikkelings- en etsprocessen.

◆ Fotoresistcoating voor MEMS en geavanceerde verpakkingen: In micro-elektromechanische systemen (MEMS) en geavanceerde chipverpakkingen (zoals WLCSP en CoWoS) wordt fotoresist vaak gebruikt als tijdelijke hechtlaag, passivatielaag of patroonoverdrachtsmedium. Met ultrasoon verstuivingsspuiten kan een uniforme coating van complexe drie- structuren worden bereikt (zoals sleuven met hoge aspectverhoudingen en bump-arrays), waardoor de integriteit van de coatingdekking in een beperkte ruimte wordt gewaarborgd en wordt voldaan aan de hoge- vereisten voor nauwkeurige uitlijning van het verpakkingsproces.

◆Speciale functionele fotoresistcoating: Voor speciale functionele fotoresists zoals lichtgevoelige harsen en quantum dot-fotoresists kan de apparatuur de atomisatieparameters nauwkeurig controleren om de aggregatie van functionele deeltjes (zoals quantum dots en nanovullers) te voorkomen, de optische prestaties en fotolithografische gevoeligheid van de fotoresist te behouden en zich aan te passen aan de toepassingsbehoeften van opkomende weergave-, detectie- en andere velden.