Wat is ultrasoon fotolakspuiten?

Ultrasone fotoresist-coatingapparatuur is een gespecialiseerd apparaat voor fotoresist-coating op basis van ultrasone vernevelingstechnologie. Het wordt voornamelijk gebruikt in precisieproductiegebieden zoals halfgeleiders, panelen, wafers, MEMS en fotovoltaïsche zonne-energie. Het verstuift fotoresist in ultrafijne druppeltjes van nano-/micron-grootte en spuit deze gelijkmatig op het oppervlak van substraten zoals wafers en glassubstraten, ter vervanging van traditionele spin-coating- en dip-coating-processen.

 

Simpel gezegd is het de kernuitrusting in de "resist-coatingfase" van het fotolithografieproces, met voordelen zoals hoge precisie, hoge uniformiteit, laag resist-verbruik en geen wervelende/dikke randdefecten, waardoor het geschikt is voor de fotoresist-coatingvereisten van geavanceerde processen.

 

Belangrijkste technologische voordelen(vergeleken met traditionele spincoating/dipcoating)

Fotoresistcoating is een cruciale voor-processtap bij fotolithografie, en de uniformiteit van de filmdikte heeft rechtstreeks invloed op de nauwkeurigheid van fotolithografie. De kernvoordelen van ultrasone spuitapparatuur overtreffen die van traditionele processen ruimschoots, wat ook de belangrijkste reden is voor de wijdverbreide toepassing ervan in geavanceerde productieprocessen.

 

1. Ultra-hoge coatinguniformiteit:Uniformiteit van de filmdikte Minder dan of gelijk aan ±1%, waardoor de "dikke randen en concave centra" van spincoating worden geëlimineerd, geschikt voor de fotolithografische vereisten van geavanceerde processen zoals 7nm/5nm;

 

2. Extreem laag fotoresistverbruik:Spincoating heeft een benuttingsgraad van het fotoresistverbruik van slechts 10~20%, terwijl ultrasoon spuiten 80~95% kan bereiken, waardoor de kosten van fotoresist (een kostbaar verbruiksartikel) aanzienlijk worden verlaagd;

 

3. Breed regelbaar filmdiktebereik:Geschikt voor het coaten van dunne films van 10 nm tot 100 μm, geschikt voor zowel ultra-dunne als dikke fotoresistlagen (bijv. verpakkingsfotolithografie, MEMS-diepgatfotolithografie);

 

4. Geen mechanische spanningsschade:Geen centrifugale kracht of substraatrotatie met hoge- snelheid, waardoor kromtrekken en barsten van wafers/substraten wordt vermeden, geschikt voor kwetsbare substraten (bijv. ultra-dunne wafers, flexibele substraten);

 

Aanpasbaar aan complexe substraten:Aanpasbaar aan complexe substraten: Kan niet-vlakke substraten, diepe gaten/gegroefde substraten, substraten met grote- oppervlakken en onregelmatige vormen coaten die niet door spincoating kunnen worden verwerkt

 

Milieuvriendelijk en vrij van vervuiling-:Laag lijmverbruik, extreem laag volume uitlaatgasafval, geen lijmnevel die spettert zoals bij spincoating, voldoet aan de eisen van schone productie.